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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SIHD7N60ETL-GE3參考圖片 SIHD7N60ETL-GE3 Vishay/Siliconix DPAK (TO-252) MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:7 A,電阻汲極/源極...
SIHD7N60ETR-GE3 Vishay/Siliconix DPAK (TO-252) MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:7 A,電阻汲極/源極...
點擊查看SIHF10N40D-E3參考圖片 SIHF10N40D-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 642 MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:400 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHF12N50C-E3參考圖片 SIHF12N50C-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 994 MOSFET N-Channel 500V
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電流:12 A,電阻汲極/...
點擊查看SIHF12N60E-E3參考圖片 SIHF12N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHF15N60E-E3參考圖片 SIHF15N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SiHF16N50C-E3參考圖片 SiHF16N50C-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET N-Channel 500V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,漏極連續電流:16 A,配置:Sin...
點擊查看SIHF18N50D-E3參考圖片 SIHF18N50D-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,漏極連續電流:18 A,電阻汲極/源...
點擊查看SiHF22N60E-E3參考圖片 SiHF22N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHF22N60S-E3參考圖片 SIHF22N60S-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續電...
點擊查看SiHF30N60E-E3參考圖片 SiHF30N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-220FP-3 2036 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHF5N50D-E3參考圖片 SIHF5N50D-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHF6N40D-E3參考圖片 SIHF6N40D-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:400 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHF7N60E-E3參考圖片 SIHF7N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 552 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHF8N50D-E3參考圖片 SIHF8N50D-E3 Vishay/Siliconix TO-220-3 整包 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHF8N50L-E3參考圖片 SIHF8N50L-E3 Vishay/Siliconix TO-220 整包 MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,漏極連續電流:8 A,電阻汲極/源極 RDS(導通):1 O...
SIHFIB16N50K-E3 Vishay/Siliconix MOSFET 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看SIHG14N50D-E3參考圖片 SIHG14N50D-E3 Vishay/Siliconix TO-247-3 MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,漏極連續電流:14 A,電阻汲極/源...
點擊查看SiHG16N50C-E3參考圖片 SiHG16N50C-E3 Vishay/Siliconix TO-247AC MOSFET N-Channel 500V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點擊查看SIHG17N60D-E3參考圖片 SIHG17N60D-E3 Vishay/Siliconix TO-247-3 MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續電流...

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