Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA912DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 12,000 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA914DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA915DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SIA917DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 110mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 5,882 | MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 2,940 | MOSFET -20V 54mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續(xù)電流：- 4.5 A，電阻... | ||||||
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SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：190 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續(xù)電流：- 4.5 A，電阻... | ||||||
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SI9801DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.5/4A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極連續(xù)電流：4... | ||||||
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SI9802DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 4.5A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI9803DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 5.9A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI9804DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 7.8A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：7.8 A，電... | ||||||
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SI9806DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 7/1.8 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：7 A，電阻汲... | ||||||
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