Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI2323DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 150V 0.69A 0.75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2327DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35 ohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2327DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 100V 1.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 100V 1.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 100V 1.5A 1.25W 250mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2331DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 3.6A 0.71W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2331DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 3.6A 0.89W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2333CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 125,332 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 87 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電... | ||||||
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 50,242 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2333DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3,161 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：5.2 A，電阻... | ||||||
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SI2337DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 890 | MOSFET 80V 2.2A 2.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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