Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI2308DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 2.0A 1.25 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2308DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2309CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 21,733 | MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2309DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 1.25A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2309DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 1.25A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2309DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2311DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 8.0V 3.5A 0.96W 45 mohms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI2311DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 8.0V 3.5A 0.96W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,653 | MOSFET 20V 3.77A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 32,971 | MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：6 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02... | ||||||
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SI2312DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 3.77A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2312DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 3.77A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2314EDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 4.9A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2314EDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 110,708 | MOSFET 20V 4.9A | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2315BDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 50 | MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 164 | MOSFET 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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