Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI1417EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1417EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1419DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 200V 0.38A 1.56W 5.0 ohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI1422DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 12V 4A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI1422DH-GE3，... | ||||||
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SI1426DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 3.6A 0.075Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1426DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 3.6A .075ohms | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1431DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 2.0A 1.45W 200 mohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1433DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 2.2A 1.45W 150 mohms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1441EDH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET -20V 41mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：10 V，漏極連續(xù)電流：- 4 A，電阻汲... | ||||||
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SI1442DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 1,225 | MOSFET 12V 4A 2.8W 20mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：1 V，漏極連續(xù)電流：... | ||||||
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SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 63 | MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI1450DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 8.0V 4.0A 2.78W 47mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI1467DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 1,181 | MOSFET 20V 2.7A 2.78W 90mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1467DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 20V 2.7A P-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：2.7 A，電阻... | ||||||
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SI1469DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 13,002 | MOSFET 20V 2.7A 2.78W 80 mohms @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1470DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 4.0A 2.8W 66mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1470DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 4.0A 2.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1471DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1472DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 5.6A 2.8W 57mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1473DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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