Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC010N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC010N04LSI | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 386 | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIXT SP000854376... | ||||||
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BSC010NE2LSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC011N03LS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC011N03LSIXT | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 ... | ||||||
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BSC014N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC014N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 3737 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC014N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSC014N04LS BSC014N04LSXT，... | ||||||
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BSC014N04LSI | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC014NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 ... | ||||||
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BSC016N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N03LSG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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BSC016N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC016N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4627 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N06NS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 60V SuperS08 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 101,723 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC017N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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