| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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VUB50-12PO1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 50 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB50-16PO1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 50 Amps 1600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB160-12NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模塊 160 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB120-12NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模塊 120 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB120-16NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模塊 120 Amps 1600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VII130-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 130 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
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VKI50-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 50 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
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VKI50-12P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 50 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續... |
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VKI75-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模塊 75 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
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MID100-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 100 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID145-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 145 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID150-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 150 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID200-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
2 |
IGBT 模塊 200 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID300-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 300 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID400-12E4 |
Ixys |
Y3-Li |
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IGBT 模塊 400 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID400-12E4T |
Ixys |
Y3-Li |
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IGBT 模塊 400 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID550-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 550 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID75-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 75 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MIO1200-25E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模塊 1200 Amps 2500V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MIO1200-33E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模塊 1200 Amps 3300V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
