從圖 1 . 17 可以看出,大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)。可變電阻區(qū)、線性放大區(qū)
習(xí)慣上將 J-FET 剛剛截止時(shí)的柵壓稱為夾斷電壓,用 Up 表示。從圖中可以看出耗盡層加寬, N 溝道被夾斷。
[ 2 ]可變電阻區(qū)。從圖 1 . 17 中的“可變電阻區(qū)”部分曲線可以看出:在此區(qū)域內(nèi),輸出曲線是直的,而且不同的 Ugs 對(duì)應(yīng)不同的斜率,可見(jiàn)在此區(qū)域內(nèi), Ugs 可以控制 DS 之間的電阻。從這個(gè)方向講來(lái),此時(shí)的J-FET 等效為一個(gè)壓控可變電阻器。 Ugs 越負(fù),電阻值越大。
[ 3 ]線性放大區(qū), l 見(jiàn)圖 1 . 19 示意]當(dāng) UgS 高于截止柵極電壓時(shí),隨著 UdS 的增加,當(dāng) Uds 增加到 Uds=-Up 時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管出現(xiàn)“預(yù)夾斷”。此時(shí),因預(yù)夾斷區(qū)的電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于剩余的 N 溝道電阻,增加的電壓基本上都消耗在預(yù)夾斷區(qū)上, N 溝道上的電壓基本不變,因此Uds 之間出現(xiàn)了恒流特性。圖 1 . 17 中曲線幾乎水平部分的斜率就是預(yù)夾斷區(qū)電阻。在這個(gè)區(qū)域內(nèi), Id 只受 Ugs 控制, Ugs 越大, Id飽和電流越大,且成比例變化。 J-FET 用做放大器時(shí),必須被偏置到這個(gè)區(qū)域。
[ 4 ]在線性放大區(qū)內(nèi),若 Uds 再繼續(xù)增加, PN 結(jié)上的反向電壓越來(lái)越大, U 電若超過(guò) PN 結(jié)的反向擊穿電壓, PN 結(jié)將發(fā)生擊穿。 Ugs越大,發(fā)生擊穿時(shí)的 Uds 越大,從圖 1 . 17 中可以看出。