【圖】VMOSFET特性及優點總結
(2023/11/14 18:00:00)
VMOSFET特性及優點總結
VMOSFET特性及優點總結
【 l ］高輸入阻抗、低驅動電流
【 2 ］開關速度快、高頻特性好
【 3 ］負電流溫度系數、無熱惡性循環，熱穩定型優良請看下面的示意圖：
VMOS管的負溫度系數示意圖
【 4 ］安全工作區域大：因 VMOS 器件的溫度系數是負值，不存在局部熱點和電流集中等問題，只要合理設計偏置，可以從根本上避免二次擊穿。因此 VMOS 管的安全工作區域比 BJT 管的要大：
VMOS '' s 負溫度系數示意圖
VMOS Safe Operation Area
【 5 ］高線性化的跨導 Gm : vMos 器件具有短溝道，當 vgs 上升到一定值后，跨導 Gm 即為恒定值。而傳統的 MOS 管因為溝道長，不容易出現溝道飽和效應，所以 Id 與 vds 的平方成正比， Gm 隨 vgs 的增大而增大。請看下面的示意圖：
【 6 ］近乎線性的轉移特性，放大信號時失真極小：
VMOSFET特性及優點總結
【 l ］高輸入阻抗、低驅動電流
【 2 ］開關速度快、高頻特性好
【 3 ］負電流溫度系數、無熱惡性循環，熱穩定型優良請看下面的示意圖：
VMOS管的負溫度系數示意圖
【 4 ］安全工作區域大：因 VMOS 器件的溫度系數是負值，不存在局部熱點和電流集中等問題，只要合理設計偏置，可以從根本上避免二次擊穿。因此 VMOS 管的安全工作區域比 BJT 管的要大：
VMOS '' s 負溫度系數示意圖
VMOS Safe Operation Area
【 5 ］高線性化的跨導 Gm : vMos 器件具有短溝道，當 vgs 上升到一定值后，跨導 Gm 即為恒定值。而傳統的 MOS 管因為溝道長，不容易出現溝道飽和效應，所以 Id 與 vds 的平方成正比， Gm 隨 vgs 的增大而增大。請看下面的示意圖：
【 6 ］近乎線性的轉移特性，放大信號時失真極小：
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