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IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型復合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。

圖1所示為N溝道增強型垂直式IGBT單元結構，IGBT采用溝槽結構，以減少通態壓降，改善其頻率特性。并采用NFT技術實現IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作為輸入部分，其特性與N溝道增強型。MOS器件的轉移特性相似，形成電壓型驅動模式，用GTR作為輸出部件，導通壓降低、容量大，不同的是IGBT的集電極IC受柵一射電壓UCE的控制，導通、關斷由柵一射電壓UCE決定。

目前大部分逆變器都采用IGBT和IPM作為開關器件，由IGBT基本組合單元與驅動、保護以及報警電路共同構成的智能功率模塊(IPM)已成為IGBT智能化的發展方向，將IGBT的驅動電路、保護電路及部分接口電路和功率電路集成于一體的功率器件。35 kW等級的DC 600 V逆變器一般采用1 200 V／300 A模塊，IGBT和IPM分為單單元和雙單元，3只雙單元模塊可構成i相逆變器主電路，如圖2所示。