K1與K2一般很小(HCNR200是0.50%),并且隨溫度變化較大(HCNR200的變化范圍在0.25%到0.75%之間),但芯片的設(shè)計使得K1和K2相等。在后面可以看到,在合理的外圍電路設(shè)計中,真正影響輸出/輸入比值的是二者的比值K3,線性光耦正利用這種特性才能達到滿意的線性度的。
HCNR200和HCNR201的內(nèi)部結(jié)構(gòu)完全相同,差別在于一些指標上。相對于HCNR200,HCNR201提供更高的線性度。
采用HCNR200/201進行隔離的一些指標如下所示:
* 線性度:HCNR200:0.25%,HCNR201:0.05%;
* 線性系數(shù)K3:HCNR200:15%,HCNR201:5%;
* 溫度系數(shù): -65ppm/oC;
* 隔離電壓:1414V;
* 信號帶寬:直流到大于1MHz。
從上面可以看出,和普通光耦一樣,線性光耦真正隔離的是電流,要想真正隔離電壓,需要在輸出和輸出處增加運算放大器等輔助電路。