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【圖】場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及主要參數(shù)
(2023/2/28 0:38:00)
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及主要參數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及主要參數(shù)

3.3.1 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體三極管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管相比較,具有如下一些特點(diǎn):

(1) BJT輸入端的PN結(jié)為正向偏置,因而它的輸入電流較大,相應(yīng)的輸入電阻數(shù)小。而JFET輸入端的PN結(jié)為反向偏置,對(duì)IGMOSFET則有絕緣層隔離,故它們的輸入電阻很大。通常JFET的輸入電阻10^8,而IGFET的輸入電阻可大于10^11~10^12。

(2) FET是靠多子導(dǎo)電的器件,所以也稱為單極型器件,而BJT中,自由電子及空穴均參與工作,所以又稱為雙極型器件。由于多子濃度受溫度、光照、輻射等環(huán)境變化的影響小,所以FET特別適合于環(huán)境條件變化較大的電子設(shè)備中。

(3) 在低壓小電流工作時(shí),F(xiàn)ET可作為電壓控制的可變線性電阻和導(dǎo)通電阻很小的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。而BJT則無(wú)此優(yōu)異特性。

(4) FET是一種自隔離器件,制造工作簡(jiǎn)單,特別適合于大規(guī)模與超大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)與制造。從當(dāng)前的發(fā)展趨勢(shì)看,在這些集成度很高的大規(guī)模與超大規(guī)模集成電路中,MOSFET已日益取代了BJT。

(5) 從器件的結(jié)構(gòu)看,F(xiàn)ET的漏極與源極是對(duì)稱的,可以互換使用,設(shè)計(jì)時(shí)也較BJT靈活。

特別需要指出的是在保存和使用MOSFET時(shí)要倍加留心,因?yàn)樗臇艠O與襯底表面之間的絕緣層很薄,當(dāng)帶電體或人體接觸金屬柵時(shí),由于會(huì)在柵極與襯底上產(chǎn)生感生電荷,而柵極與襯底之間的平板電容器容量又很小,所以常常這些感生電荷積累會(huì)在絕緣層上產(chǎn)生很高的電壓,極易導(dǎo)致絕緣層的擊穿而損壞管子。所以這種器件在保存時(shí)應(yīng)將各電極引線短接,焊接應(yīng)將電烙鐵外殼良好接地,必要時(shí)還可在管子的柵源之間接入背靠背的兩只穩(wěn)壓管,以限制感生電荷在柵源之間產(chǎn)生的最大電壓,避免管子?xùn)旁粗g因擊穿而損壞。

3.3.2 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

1.直流參數(shù)







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