達(dá)林頓晶體管DT(Dar1ington Transistor)亦稱(chēng)復(fù)合晶體管。它采用復(fù)合過(guò)接方式,將兩只或更多只晶體管的集電極連在一起,而將第一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極,依次級(jí)連而成,最后引出E、B、C三個(gè)電極。
圖1是由兩只NPN或PNP型晶體管構(gòu)成達(dá)林頓管的基本電路。假定達(dá)林頓管由N只晶體管(TI-Tn)組成,每只晶體管的放大系數(shù)分別這hFE1、hFE2、hFEn。則總放大系數(shù)約等于各管放大系數(shù)的乘積:
hFE≈hFE1·hFE2……hFEn
因此,達(dá)林頓管具有很高的放大系數(shù),值可以達(dá)到幾千倍,甚至幾十萬(wàn)倍。利用它不僅能構(gòu)成高增益放大器,還能提高驅(qū)動(dòng)能力,獲得大電流輸出,構(gòu)成達(dá)林頓功率開(kāi)關(guān)管。在光電耦合器中,也有用達(dá)林頓管作為接收管的。達(dá)林頓管產(chǎn)品大致分成兩類(lèi),一類(lèi)是普通型,內(nèi)部無(wú)保護(hù)電路,另一類(lèi)則帶有保護(hù)電路。下面分別介紹使用萬(wàn)用表檢測(cè)這兩類(lèi)達(dá)林頓管的方法。
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極B與發(fā)射極E之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k檔來(lái)測(cè)量。
測(cè)量達(dá)林頓管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí),集電極C與基極B之間的正向電阻值(測(cè)NPN管時(shí),黑表筆接基極B;測(cè)PNP管時(shí),黑表筆接集電極C)值與普通硅晶體管集電結(jié)的正向電阻值相近,為3~10kΩ之間,反向電阻值為無(wú)窮大。而發(fā)射極E與基極B之間的的正向電阻值(測(cè)NPN管時(shí),黑表筆接基極 B;測(cè)PNP管時(shí),黑表筆接發(fā)射極E)是集電極C與基極B之間的正、反向電阻值的2~3倍,反向電阻值為無(wú)窮大。集電極C與發(fā)射極E之間的正、反向電阻值均應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得達(dá)林頓管的C、E極間的正、反向電阻值或BE極、BC極之間的正、反向電阻值均接近0,則說(shuō)明該管已擊穿損壞。若測(cè)得達(dá)林頓管的 BE極或BC極之間的、反向電阻值為無(wú)窮大,則說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。
大功率達(dá)林頓管在普通達(dá)林頓管的基礎(chǔ)上增加了由續(xù)流二極管和泄放電阻組成的保護(hù)電路,在測(cè)量時(shí)應(yīng)注意這些元器件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響。
用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔,測(cè)量達(dá)林頓管集電結(jié)(集電極C與基極B之間)的正、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值(NPN管的基極接黑表筆時(shí))應(yīng)較小,為1~10kΩ,反向電阻值應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得集電結(jié)的正、反向電阻值均很小或均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該管已擊穿短路或開(kāi)路損壞。
用萬(wàn)用表R×100檔,測(cè)量達(dá)林頓管發(fā)射極E與基極B之間的正、反向電阻值,正常值均為幾百歐姆至幾千歐姆(具體數(shù)據(jù)根據(jù)B、E極之間兩只電阻器的阻值不同而有所差異。例如,BU932R、MJ10025等型號(hào)大功率達(dá)林頓管B、E極之間的正、反向電阻值均為600Ω左右),若測(cè)得阻值為0或無(wú)窮大,則說(shuō)明被測(cè)管已損壞。
用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔,測(cè)量達(dá)林頓管發(fā)射極E與集電極C之間的正、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值(測(cè)NPN管時(shí),黑表筆接發(fā)射極E,紅表筆接集電極C;測(cè)PNP管時(shí),黑表筆接集電極C,紅表筆接發(fā)射極E)應(yīng)為5~15kΩ(BU932R為7kΩ),反向電阻值應(yīng)為無(wú)窮大,否則是該管的C、E極(或二極管)擊穿或開(kāi)路損壞。
某些改進(jìn)型達(dá)林頓管還在R1、R2各并聯(lián)一只二極管D2、D3,當(dāng)B-E之間加反向電壓時(shí),測(cè)出的就不是(R1+R2)電阻之和,而是兩只二極管的正向壓降之和(VF2+VF3)。